מאפייני המוצר
סוּג
לְתַאֵר
קטגוריה
מוצרי מוליכים למחצה דיסקרטיים
טרנזיסטור – FET, MOSFET – יחיד
יַצרָן
אינפיניון טכנולוגיות
סִדרָה
CoolGaN™
חֲבִילָה
סרט וסליל (TR)
רצועת גזירה (CT)
סליל מותאם אישית של Digi-Reel®
סטטוס המוצר
הופסק
סוג FET
ערוץ N
טֶכנוֹלוֹגִיָה
GaNFET (גליום ניטריד)
מתח מקור ניקוז (Vdss)
600V
זרם ב-25°C - ניקוז רציף (Id)
31A (Tc)
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
-
התנגדות נגד (מקסימום) בזיהוי שונה, Vgs
-
Vgs(th) (מקסימום) במזהים שונים
1,6V @ 2,6mA
Vgs (מקסימום)
-10V
קיבול קלט (Ciss) ב-Vds שונים (מקסימום)
380pF @ 400V
פונקציית FET
-
פיזור כוח (מקסימום)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג התקנה
סוג הרכבה על פני השטח
אריזת מכשיר הספק
PG-DSO-20-87
חבילה/מארז
20-PowerSOIC (0.433 אינץ', רוחב 11.00 מ"מ)
מספר מוצר בסיסי
IGOT60
מדיה והורדות
סוג משאב
קישור
מפרטים
IGOT60R070D1
מדריך הבחירה של GaN
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs קצר
מסמכים קשורים אחרים
GaN במתאמים/מטענים
GaN בשרת וטלקום
מהימנות והסמכה של CoolGaN
למה CoolGaN
GaN בטעינה אלחוטית
קובץ וידיאו
CoolGaN™ 600V e-mode HEMT פלטפורמת הערכה לחצי גשר הכוללת GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ - פרדיגמת הכוח החדשה
לוח הערכה PFC עם עמוד טוטם גשר מלא בנפח 2500 W באמצעות CoolGaN™ 600 V
מפרטי HTML
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs קצר
IGOT60R070D1
סיווג סביבה ויצוא
מאפיינים
לְתַאֵר
מצב RoHS
תואם למפרט ROHS3
רמת רגישות לחות (MSL)
3 (168 שעות)
מצב REACH
מוצרים שאינם REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095